政策扶持
为促进我国光刻胶产业的发展，***02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室***任务验收***组、财务验收***组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。
据悉，光刻胶MC1-100，经过项目组全体成员的努力攻关，光刻胶IC1-1000，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明专利15项（包括国际专利5项），截止到目前，共获得***专利10项（包括国际专利***3项）。
芯片光刻的流程详解（二）
所谓光刻，根据维基百科的定义，光刻胶，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，光刻胶NR9-500PY，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
6，坚膜
坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况高于前烘和***后烘烤的温度 100-140度 10-30min，7，显影检验，光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡，针KONG、小岛。
8刻蚀
就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀，SIO2，AL， Poly-Si 等薄膜，干法腐蚀。
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