IGBT场效应管IKW30N60T
特点
非常低VCE （ SAT ）1.5 V（典型值）
***高结温为175℃
短路承受时间 - 5μs的
设计用于：- 频率转换器
- 不间断电源
沟槽场终止技术， 600 V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 非常高开关速度- 低V
在V正温度系数
低EMI
低栅电荷
非常柔软快速***反并联EMCON何二极管
规格
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（***大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（***大值） 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 90A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.05V @ 15V，30A
功率 - ***大值 187W
开关能量 1.46mJ
输入类型 标准
栅极电荷 167nC
25°C 时 Td（开/关）值 23ns/254ns
测试条件 400V，30A，10.6 欧姆，15V
反向***时间（trr） 143ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
IW673-00是Dialog AC/DC控制器芯片，该芯片目前中文资料缺少，无法提供参数给商友。
分立半导体IKW30N60T，IW673-00，库存大量货源，价格有单欢迎详谈，电子IC询价记得找明佳达电子，我们是供应商，长期批发零售各种电子元器件货源。