二、预烘和底胶涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）
由于光刻胶中含有溶剂，光刻胶 IC1-2000，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100 °C。这是与底胶涂覆合并进行的。
底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用: (HMDS)、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。
PR1-1500A1光刻胶
6，坚膜
坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。
坚膜温度通常情况高于前烘和***后烘烤的温度 100-140度 10-30min
7，显影检验
光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡
小孔、小岛。
NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势： - 优异的分辨率性能 - 快速地显影 - 可以通过调节***能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度 - 耐受温度100℃ - 室温储存保质期长达3 年
光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光***后，光刻胶 PR1-50A????，它在显影液中的溶解度会发生变化。
分类
根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。
正胶
***前对显影液不可溶，而***后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。
优点：分辨率高、对比度好。
缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
灵敏度：***区域光刻胶完全溶解时所需的能量
负胶egative
Photo Resist）
与正胶反之。
优点： 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。
缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。
灵敏度：保留***区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。
光刻胶 IC1-2000-赛米莱德(在线咨询)-光刻胶由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司（）为客户提供“光刻胶”等业务，公司拥有“赛米莱德”等品牌。专注于工业制品等行业，在北京 大兴区 有较高知名度。欢迎来电垂询，联系人：况经理。
