德国behlke贝克公司地处法兰克福西北约20公里的卫星镇克龙贝格，专业生产大电压和大电流的MOSFET、IGBT、快速可恢复高电压二极管、抗感应散装陶瓷电阻、陶瓷电容器等模块。德国贝克公司具有强大的技术实力、超稳定的产品、标准模块化的设计等优点在高压高电流半导体器件行业处于全球顶尖地位。特别是在某些超高压超电流领域更是引领行业标准。
HTS-HB-C系列高压开关的特点：
应用：激光和医疗行业 大学实验室 研究所等
1.推挽型双开关半桥配置，无交叉电流，
2.输出高精度高压方波脉冲，无需工作电阻，没有使用大型高压输入储能电容器。
3.专业为PCB组装设计
4.低电感和很短的过渡时间
公司简介：德国behlke贝克公司地处法兰克福西北约20公里的卫星镇克龙贝格，专业生产大电压和大电流的MOSFET、IGBT、快速可恢复高电压二极管、抗感应散装陶瓷电阻、陶瓷电容器等模块。德国贝克公司具有强大的技术实力、超稳定的产品、标准模块化的设计等优点在高压高电流半导体器件行业处于全球顶尖地位。特别是在某些超高压超电流领域更是引领行业标准。
behlke HTS 11-07-HB-C 2X1.2 KV 2X70A
behlke HTS 21-07-HB-C 2X2.4 KV 2X70A
behlke HTS 31-03-HB-C 2X3 KV 2X70A
behlke HTS 31-13-HB-B-C 2X3.9KV 2X70A
behlke HTS 41-02-HB-LC-C 2X4.8KV 2X130A
behlke HTS 61-01-HB-C 2X6 KV 2X10A
behlke HTS 61-03-HB-C 2X6 KV 2X30A
behlke HTS 71-13-HB-B-C 2X7.8 KV 2X130A
behlke HTS 91-01-HB-C 2X9 KV 2X10A
behlke HTS 91-02-HB-LC-C 2X9.6 KV 2X10A
behlke HTS 111-13-HB-B-C 2X11.7 KV 2X130A
behlke HTS 121-01-HB-C 2X12 KV 2X15A
behlke HTS 181-01-HB-C 2X18 KV 2X12A
电流，取决于开关，SCR晶闸管。千安应用，充放电，撬棍。
??开关，固定导通时间，标准MOSFET。一般脉冲应用，充电和放电，脉冲电场。
??开关，固定导通时间，高di / dt，MOSFET。高电流，高频率，出色的突发能力，快速充电和放电。
??开关，固定导通时间，超快MOSFET。高电流，高di / dt，低频至中频，超快充电和放电。
??开关，固定导通时间，低导通电阻，Trench-FET。高电流，以中等速度充电和放电。
??开关，可变导通时间，标准MOSFET。一般脉冲和开关应用，上升时间快，频率高。
??开关，可变导通时间，高di / dt，MOSFET。高电流，中等频率，快速上升时间。
??开关，可变导通时间，低电容，MOSFET。低耦合电容。 LC2拓扑具有出色的瞬态抗扰性。
??开关，可变导通时间，低导通电阻，碳化硅FET和Trench-FET。高电流，低导通损耗
??开关，可变导通时间，AC MOSFET。双向双向开关。 ＆否。电压不改变极点。 AC高达5 MHz。
??开关，可变导通时间，IGBT。在中等频率下具有高di / dt和电流能力。真正的通断开关。
??开关，可变导通时间，MCT晶闸管。在中等频率下具有高di / dt和电流能力。真正的通断开关。
??开关，可变导通时间，推挽，MOSFET。半桥配置中的两个交换路径。真方波脉冲。
??开关，可变导通时间，交流推挽，MOSFET。半桥，用于正负电压而无极性变化。
???高压脉冲发生器单元。实验室脉冲发生器单元，特殊用途的OEM脉冲发生器单元，普克尔电池驱动器。
??FDA，快速恢复高压二极管组件。快速续流二极管和网络。
??DLC，高压电子设备的直接液体冷却。泵单元，散热器，热交换器，冷却液等
behlke GHTS系列脉冲发生器
GHTS系列脉冲发生器特点
应用：激光和医疗行业 大学实验室 研究所等
1.无需外部元件，经过系统集成优化，通过CE认证
2.内部已集成高压脉冲开关和配套电路，搭配高压直流电源后可直接输出高压脉冲方波。
3.适用于容性负载内应用，比如泡克尔斯盒、离子光学、压电晶体 最大工作电压：3KV~10KV 峰值电流：15A~60A 典型上升沿/下降沿时间：10ns~100ns（和负载有关） 输出脉冲宽度：>100ns