磁控溅射镀膜机技术原理
真空磁控溅射镀膜技术是通过真空磁控溅射镀膜机实现的，镀膜机内由不同级别的真空泵抽气，在系统内营造出一个镀膜所需的真空环境，真空度要达到镀膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空环境中向靶材（阴极）下充入工艺气体气（Ar），气在外加电场（由直流或交流电源产生）作用下发生电离生成离子（Ar ），同时在电场E的作用下，离子加速飞向阴极靶并以高能量轰击靶表面，使靶材产生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉积在PET基片上形成薄膜。同时被溅射出的二次电子在阴极暗区被加速，在飞向基片的过程中，落入设定的正交电磁场的电子阱中，直接被磁场的洛伦兹力束缚，使其在磁场B的洛伦兹力作用下，以旋轮线和螺旋线的复合形式在靶表面附近作回旋运动。电子e的运动被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子区域内，使其到达阳极前的行程大大增长，大大增加碰撞电离几率，使得该区域内气体原子的离化率增加，轰击靶材的高能Ar 离子增多，从而实现了磁控溅射高速沉积的特点。在运用该机理开发磁控膜的过程中，要注意以下几个问题：①保证整体工艺中各个环节的可靠性。具体包括靶材质量、工艺气体纯度、原膜洁净程度、原膜质量等基础因素，这一系列因素会对镀膜产品的***终质量产生影响。②选择合适的靶材。要建立的膜系是通过对阴极的前后顺序布置实现的。③控制好各环节的工艺性能及参数。如适合的本底真空度、靶材适用的溅射功率、工艺气体和反应气体用量与输入均匀性、膜层厚度等。总之，只有控制好以上各因素，才能够保证所开发的镀膜PET具有稳定的颜色、优异的性能和耐久性。
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磁控溅射镀膜机
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目前国内窗膜行业的批发商及终端店很多人都吃过磁控镀银膜氧化的亏，产品卖出后几个月，开始大面积氧化，需要赔偿，甚至还失去了客户。特别是NSN系列在13、14年出的问题特别多，搞得很多人谈磁控膜色变的地步。而在15、16年后，问题得到解决。慢慢地就没多少氧化问题出现了。这也让很多刚接触磁控膜的人以为磁控膜都是镀银的膜，一说磁控膜就问会不会氧化。其实大可不必担心，大部分的侧档都不是银的，请放心使用。且这两年的技术进步，国内各磁控工厂也找到了解决氧化的方法。其实在玻璃镀膜行业，早就解决了氧化问题，我记得早期的low-e玻璃在镀膜后必须在24小时内合成中空，不然就会氧化。当时low-e与中空都是镀膜厂做的，下边玻璃加工厂根本无法介入，而现在镀膜厂只需生产玻璃镀膜原片。且玻璃原片爆露在空气中可达6个月以上，都不会氧化。这样中空玻璃，一些门窗厂，幕墙公司、小规模的玻璃深加工工厂，都可以生产low-e中空玻璃了，加上***政策的支持与引导，大大的加快了low-e玻璃的发展与普及。做窗膜磁控溅射镀膜的应多去看看玻璃行业的low-e镀膜，多些交流。毕竟生产原理是一样的东西，技术是相通的。很多东西是可以套用的，low-e镀膜得到了规模化的发展，技术工艺已非常成熟了。窗膜磁控溅射镀膜***终是要与玻璃配套的，如何与玻璃上直接镀膜做差异化发展，才是正道。就目前来说，仅从隔热性能、保温性能上与玻璃对抗，是不可能有成本上优势的。但都是镀膜，如何做差异化，我目前也只是抛砖引玉，只有大家一起开动脑袋了。
镀膜设备原理及工艺
主要溅射方式：
反应溅射是在溅射的惰性气体气氛中，直流磁控溅射，通入一定比例的反应气体，通常用作反应气体的主要是氧气和氮气。
直流溅射(DC Magnetron1 Sputtering)、射频溅射(RF Magnetron1 Sputtering)、脉冲溅射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中频溅射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)
直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中，其工艺设备简单，有较高的溅射速率。
中频交流磁控溅射在单个阴极靶系统中，与脉冲磁控溅射有同样的释放电荷、防止打弧作用。中频交流溅射技术还应用于孪生靶(Twin2Mag)溅射系统中，中频交流孪生靶溅射是将中频交流电源的两个输出端，分别接到闭合磁场非平衡溅射双靶的各自阴极上，因而在双靶上分别获得相位相反的交流电压，一对磁控溅射靶则交替成为阴极和阳极。孪生靶溅射技术大大提高磁控溅射运行的稳定性，可避免被毒化的靶面产生电荷积累，引起靶面电弧打火以及阳极消失的问题，溅射速率高，为化合物薄膜的工业化大规模生产奠定基础。
连续式的磁控溅射生产线 总体上可以分为三个部分: 前处理， 溅射镀膜， 后处理。
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