磁控溅射
磁控溅射靶材的利用率可成为磁控溅射源的工程设计和生产工艺成本核算的一个参数。目前没有见到对磁控溅射靶材利用率专门或系统研究的报道，而从理论上对磁控溅射靶材利用率近似计算的探讨具有实际意义。对于静态直冷矩形平面靶，即靶材与磁体之间无相对运动且靶材直接与冷却水接触的靶，?靶材利用率数据多在20%~30%左右(间冷靶相对要高一些，但其被刻蚀过程与直冷靶相同，江苏磁控溅射镀膜机，不作专门讨论)，且多为估计值。为了提高靶材利用率，研究出来了不同形式的动态靶，其中以旋转磁场圆柱靶工业上被广泛应用，据称这种靶材的利用率可超过70%，但缺少足够数据或理论证明。常见的磁控溅射靶材从几何形状上看有三种类型：矩形平面、圆形平面和圆柱管? 如何提高利用率是真空磁控溅射镀膜行业的***，圆柱管靶利用高，但在有些产业是不适用的，如何提高靶材利用，请到此一看的朋友，在下面留下你的见解，提供好的方法。
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磁控溅射镀膜机工艺
关键工艺参数的优化
关键工艺参数的优化基于实验探索。实验是在自制的双室直流磁控溅射镀膜设备上进行的。该设备的镀膜室采用内腔尺寸为6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形状，抽气系统采用两套K600 扩散泵机组，靶材采用德国Leybold 公司生产的陶瓷靶，ITO 薄膜基底是尺寸为1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。
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磁控溅射镀膜机的工作原理
控溅射原理电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞，电离出大量的离子和电子，电子飞向基片。离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，磁控溅射镀膜机多少钱，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与原子发生碰撞电离出大量的离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，***终沉积在基片上。 磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，磁控溅射镀膜机哪家好，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。 在机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在此原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。
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