离子束刻蚀
利用低能量平行Ar 离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出，从而达到选择刻蚀的目的，它采用纯物理的刻蚀原理。离子束刻蚀是目前所有刻蚀方法中分辨率较高，陡真性较好的方法，聚焦离子束刻蚀机哪家好，它可以对所有材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。
想了解更多产品信息您可拨打图片上的电话进行咨询！
刻蚀机
刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，聚焦离子束刻蚀机多少钱，即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜，而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上，以上三个部分都会被刻蚀，只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U（V为对薄膜的刻蚀速率，U为对掩膜或衬底的刻蚀速率），S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同，从而也导致图形转移的不均匀，等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外，刻蚀速率也是一个重要指标，它用来衡量硅片的产出速度，刻蚀速率越快，则产出率越高。
本产品信息有创世威纳提供，如果您想了解更多产品信息您可拨打图片上的电话进行咨询！
干法刻蚀
干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，北京聚焦离子束刻蚀机，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，聚焦离子束刻蚀机原理，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀（Pla***a Etching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
想了解更多产品信息您可拨打图片上的电话进行咨询！
北京聚焦离子束刻蚀机-创世威纳科技-聚焦离子束刻蚀机原理由北京创世威纳科技有限公司提供。北京创世威纳科技有限公司（.cn）位于北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前创世威纳在电子、电工产品制造设备中拥有较高的知名度，享有良好的声誉。创世威纳取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。创世威纳全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。
