真空磁控溅射镀膜机-创世威纳(推荐商家)

磁控溅射镀膜的特点

1、靶材粒子能量高（比热蒸发高出1个数量级），所制备膜层更致密，与石英片结合力更高：

2、一般备有辅助离子源，可以用来清洗石英片，清洗效果好；

3、易于制备熔点高的材料；

4、制备合金膜层，可以保证膜层材料比例与靶材相同；

5、由于装有中和器，也可以用来制备绝缘膜层。

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磁控溅射镀膜机原理

由此可见，真空磁控溅射镀膜机，溅射过程即为入射离子通过一系列碰撞进行能量交换的过程，入射离子转移到逸出的溅射原子上的能量大约只有原来能量的1%，大部分能量则通过级联碰撞而消耗在靶的表面层中，并转化为晶格的振动。溅射原子大多数来自靶表面零点几纳米的浅表层，可以认为靶材溅射时原子是从表面开始剥离的。如果轰击离子的能量不足，则只能使靶材表面的原子发生振动而不产生溅射。如果轰击离子能量很高时，溅射的原子数与轰击离子数之比值将减小，这是因为轰击离子能量过高而发生离子注入现象的缘故。

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磁控溅射种类

磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击Ar产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。靶源分平衡和非平衡式，真空磁控溅射镀膜机价格，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高，但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。

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