刻蚀工艺过程
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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。
离子束刻蚀机
离子束刻蚀是利用离子束直接轰击工件，离子束刻蚀机生产厂家，将工件上的材料溅射出来，离子束刻蚀机报价，实现材料去除的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率较高、陡直性较好的特点。应用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、niCr等。
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刻蚀机
刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜，而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上，以上三个部分都会被刻蚀，只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U（V为对薄膜的刻蚀速率，黑龙江离子束刻蚀机，U为对掩膜或衬底的刻蚀速率），离子束刻蚀机哪家好，S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同，从而也导致图形转移的不均匀，等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外，刻蚀速率也是一个重要指标，它用来衡量硅片的产出速度，刻蚀速率越快，则产出率越高。
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