光刻胶NR75-1500HP-赛米莱德-光刻胶

品牌

产地

型号

厚度

***

应用

加工

特性

Futurrex

美国

NR71-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

用于i线***的负胶

LEDOLED、

显示器、

MEMS、

封装、

生物芯片等

金属和介电

质上图案化，光刻胶RR5，

不必使用RIE

加工器件的永

组成

（OLED显示

器上的间隔

区）凸点、

互连、空中

连接微通道

显影时形成光刻胶倒

梯形结构

厚度范围：

0.5～20.0 μm

i、g和h线***波长

***

对生产效率的影响：

金属和介电质图案化

时省去干法刻蚀加工

不需要双层胶技术

NR71-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71-3000PY

2.8μm～6.3μm

NR71-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9-100PY

0.7μm~2.1μm

粘度增强

NR9-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR9-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR9-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR71G-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

负胶对 g、h线波长的灵敏度

NR71G-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71G-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR71G-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9G-100PY

0.7μm～2.1μm

粘度增强

NR9G-1500PY

1.3μm～3.1μm

NR9G-3000PY

2.8μm～6.3μm

NR9G-6000PY

5.7μm~12.2μm

品牌

产地

型号

厚度

耐热温度

应用

Futurrex

美国

PR1-500A

0.4μm～0.9μm

光刻工艺重要性二

光刻胶的***波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着***波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻胶PR1-2000A1，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，光刻胶，使硅片与光刻胶良好的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，使其彻底干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，光刻胶NR75-1500HP，Sio2 空气中，Si-OH， 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。