反应性离子刻蚀
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反应性离子刻蚀 （reaction ionetching；RIE）是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时，利用反应性气体的离子束，切断保护膜物质的化学键，使之产生低分子物质，挥发或游离出板面，这样的方法称为反应性离子刻蚀。
离子束刻蚀速率
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刻蚀速率是指单位时间内离子从材料表面刻蚀去除的材料厚度，单位通常为A/minnm/min.刻蚀速率与诸多因素有关，离子束刻蚀机，包括离子能量、束流密度、离子入射方向、材料温度及成分、气体与材料化学反应状态及速率、刻蚀生成物、物理与化学功能强度配比、材料种类、电子中和程度等。
离子束刻蚀机
离子束刻蚀机由真空室、工作台、快门、真空抽气系统、供气系统、水冷系统、电源和 电器系统等主要部分组成，图1-1所示为离子束刻蚀机的工作原理图。该机在正常工作 时，首先将真空室的压力抽至2×10-3Pa或更低，再调节Ar气流量，离子束刻蚀机哪家好，使真空室压力保持 在1×10-2~2×10-2Pa(如需要辅助气体，如O2、CH2等，则可按一定比例与之混合)，离子束刻蚀机价格， 然后启动离子源各电源，使离子源正常工作，从离子源引出一定能量和密度的离子束 被中和器发射的电子中和后，轰击工件进行溅射刻蚀。
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