光刻胶NR5-8000?-赛米莱德-光刻胶

正性光刻胶

正性光刻胶也称为正胶。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中，感光剂是光敏化合物，光刻胶，***常见的是重氮萘醌（DNQ）。在***前，DNQ是一种强烈的溶解，降低树脂的溶解速度。在紫外***后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，光刻胶NR7-6000P，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种***反应会在DNQ中产生羧酸，光刻胶NR5-8000?，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，光刻胶NR7-1000PY?，NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来***产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据***能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。

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光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。