高纯钨的制备方法可分为粉末冶金法、熔炼法和化学气相沉积法。
1、粉末冶金法：指钨粉经过成形后，加热到其熔点下的某个温度，高纯铋靶 铬酸铋靶材，通过物质迁移完成致密化的过程，***终可得到钨坯或某些形状简单的钨制品。
2、熔炼法：指将钨原料加热到其熔点以上形成液相，去除杂质后再冷却凝固实现致密化的过程，根据所采用的手段不同，具体方法有真空自耗电弧熔炼法、电子束熔炼法和等离子束熔炼法等。
3、化学气相沉积：指以钨化合物气体（一般为WF6）为钨源，在一定温度下被H2还原，将生成的钨沉积在特定的基底上，沉积完成后去除基底材料获得致密钨坯（或者制品）的过程。
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高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素，高纯铋，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管、场效应管和各种集成电路(包括人们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。
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