金属封装之Cu基符合材料有哪些特点呢？
20世纪90年代，美国开发出一种称之为Cuvar的可控制膨胀、高热导的复合材料，它是在Cu中加入低膨胀合金Invar，但热导率很低，为11W(m-1K-1)的粉末，由Cu基体提供了导热、导电，由Invar限制了热膨胀。Cuvar的加工性很好，容易镀Cu、Ni、Au、Ag，是传统低膨胀合金可伐和42合金(Fe-42Ni，中国牌号4J42)的替代品，也可以代替传统的W、Mo基热管理材料。但Cuvar材料受微量杂质的影响较大，Invar和Cu在烧结过程中的互相扩散对复合材料的导电、导热和热膨胀性能有一定影响。
光纤类管壳/金属封装类外壳的孤岛电镀。 光纤类管壳/金属封装类外壳具有特殊的结构，腔体内有多个孤立的金属化区域（它与外壳整体不通电，通常是因为玻璃烧结的绝缘性，被称为孤岛），孤岛（被绝缘的面积）有的只有0.7平方毫米，通常是钢针，半导体金属封装外壳，/可伐针等引线，给电镀镀金，镀铜，镀镍带来一定困难，可采用特1制工装夹具电镀的方法解决。
BGA封装
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，无锡金属封装外壳，功耗也随之增大，金属封装外壳厂家，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下1，体积只有TSOP封装的三分之一;另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
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