手机与 MIC 的连接方式比较多 ，
有直接焊接式 :MIC与手机直接焊接式 ， 如 P 型 MIC 的 PIN 直接焊在 PCB 上 . 但要注意焊接时间和温度 ， 容易通过焊接使 MIC 损坏或性能改变 ， 不便于维修更换 MIC. 目前较少使用 . 压接式 :MIC与手机的 PCB 通过导电橡胶或弹性金属簧魸或弹性金 属圆柱连接 . 例如 S 型 MIC 的连接各种胶套 . 使用组装方便 ， 维 修方便 ，咪头， 但是价格较高 (因为胶套较贵 )， 有时会出现个别接触不 良现象 ， 使用较多 .
导线连接式 :用导线或 FPC 连接 MIC 和 PCB， 例如 L 型 MIC 通过导线或 FPC 连接到手机的 PCB 上 ， 使用方便焊接对 MIC 无影响 ， 价格合适接触良好 ， 目前使用较多。
薄膜驻极体的制备方法
在工业上用来制作薄膜驻极体电容传声器所用的驻极体大多数是用高分子薄膜制备而成，为此，本文首先从制备方法的角度介绍他的计划方法。
一开始把薄膜放在高温炉中加热到熔点附近温度，然后施加高压直流电场，保温一段时间，然后在不撤去电场的情况下慢慢冷却到室温，撤去电场就制成了热驻极体。一般此过程大约需要几十分钟至几小时。
这个方法实际上是***原始的方法，但因为所需设备少，操作简单，所以至今在国外包括日本往往还采用此法，超心型咪头，当然这个方法也有缺点，花费的工时比较多。用上述方法极化出来的驻极体，一般上表面带负电荷，下表面带正电荷，因为相邻电极的符号相反，定义他们为“异号电荷”。实验表明，异号电荷的寿命（衰变时间）较短。如一片0.025mm的涤纶薄膜驻极体几个月以后，表面电荷密度就衰减了2/3。
如果将上述方法加以改进，在驻极体材料的上下端插入介质，插入介质的片数，厚度，材料视驻极体的材料而定，一般为酚醛层压玻璃布胶板，云母片，玻璃板等。在插入介质后制备成的热驻极体，往往带有相邻电荷符号相同的电荷，定义为“同号电荷”。实验表明：同号电荷的寿命较长，例如同样上述材料制成的驻极体的寿命可达一年以上。
另外，今年来薄膜驻极体在制备方法上有了不少改进，单指向咪头，据报道有“电晕极化法”和“电子束轰击法”，前者制备成的驻极体为电驻极体，后者为***性驻极体。 1.电晕极化法 电晕极化法是不采用加热条件，仅在室温下加强电场使之极化。为了使场强集中，其中一个方法是把电极做成刀刃形，在强电场作用下，空气明显被击穿，出现电晕放电现象，所以称为电晕极化法。此方法的优点是效率比较高，许多无机材料也能适用，极化电荷的稳定性也较好。 2.电子束轰击法 电子束轰击法是使薄膜受电子轰击而带电，为防止电子击穿破话极化效果，还可以加上环氧玻璃板等绝缘材料。用这个方法制备的驻极体寿命达到相当于或高于热驻极体的寿命。
目前在工厂使用较多的方法是带网的负高压电晕极化，这个方法是从负高压电晕极化而发展起来的。
电容式麦克风的结构主要利用两片导电板及两板之间的绝缘空气层来形成一基本电容构造，此两片导电板通常分别被称为“振膜”( Membrane)与“背板”(Backplate)。理想的振膜为一极柔软的弹性薄膜，受到声压作用时会产生振动，因而产生微距离改变，造成振膜和背板之间的动态微位移，因此使该结构的电容值亦随之改变。
电容式麦克风的结构原理：MEMS麦克风的感测器晶片构造通常是由一层较薄且低应力的复晶矽或氮化矽形成振膜，另以一较厚的复晶矽或是金属层形成具有多孔结构的背板，共同形成一组以空气作为介电层的微电容器构造。除了必要的MEMS感测器之外，在MEMS麦克风的封装体内通常还须搭配另一颗电路晶片，提供给该MEMS晶片正常操作时需要的稳定偏压、并将讯号经过放大处理后输出，心型咪头，一般泛称为ASIC (Application-Specific IC)。 MEMS 麦克风感测晶片的构造示意图：MEMS麦克风使用的ASIC因产品应用类别不同，区分为类比式和数位式两款。类比式的ASIC其基本架构主要是由“倍压电路”(Charge Pump)、“电压稳定器”(Voltage Regulator)及“放大器”(Amplier)三大功能区块的电路所组成。 倍压电路目的是藉由对输入的电源进行增压处理，以提供MEMS晶片所需之较高操作电压。放大器电路功用在于放大及稳定输入讯号。电压稳定器的功能则是在ASIC电源输入端提供稳压处理，使晶片内部各电路区块皆能正常运作。而数位式ASIC除了同时具备上述三项基本功能区块之外，还增加了所谓“三角积分调变器”(Sigma Delta Modulator)电路，来负责讯号的取样与***杂讯等任务。
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