光刻胶 NR21-20000P-光刻胶-赛米莱德

9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O，光刻胶 NR9-6000P，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O，光刻胶 NR21-20000P，等离子去胶Oxygenpla***a ashing，光刻胶，高频电场O2---电离O- O ， O 活性基与胶反应CO2，CO， H2O， 光刻检验

光刻胶工艺

普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着***加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高***系统分辨率的性能，Futurrex 的光刻胶正在研究在***光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

PCB稳定

PCB被誉为"电子产品***"，光刻胶 NR9-6000PY，广泛应用于各个电子终端。2016年，***PCB市场规模达542.1亿美元。国外研究机构预测，PCB市场年复合增长率可达3%，到2020年，PCB***市场规模将达到610亿美元；中国在2020年PCB产值有望达到311亿美元，在2015-2020年期间，年复合增长率略高于国际市场，为3.5%。得益于PCB行业发展刚需，我国PCB光刻胶需求空间巨大。