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北京恒泰正宇科技有限公司

普通会员7
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企业等级:普通会员
经营模式:生产加工
所在地区:北京 北京
联系卖家:刘瑞
手机号码:13520887406
公司官网:www.htzyjk.com
企业地址:北京市通州区中关村科技园区通州园区国际种业科技园区聚和七街2号-153
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企业概况

北京恒泰正宇科技有限公司是一家从事于UPS不间断电源、蓄电池、精密空调销售的性公司;公司致力于为用户提供安全可靠的电力电源解决方案!公司自成立以来,为客户提供品质优良,价格实惠的UPS电源、蓄电池、精密空调。同时相继与艾默生UPS电源、山特UPS电源、APCUPS电源、伊顿UPS电源,松下蓄电池、汤......

OUTDO蓄电池OT24-12 12V24AH/20HR技术咨询

产品编号:1145392142                    更新时间:2019-12-25
价格: ¥1.00
北京恒泰正宇科技有限公司

北京恒泰正宇科技有限公司

  • 主营业务:APC、艾默生等UPS电源,CSB、理士、西恩迪、松下、汤浅...
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产品详情

OUTDO蓄电池OT24-12 12V24AH/20HR技术咨询

OUTDO蓄电池OT24-12 12V24AH/20HR技术咨询

 

奥特多蓄电池隶属华威机构技术上采用日本工业标准***生产; 质量管理上,按照国际标准ISO9001建立质量管理体系。优质的原材料,***的极板工艺及具有***水平全自动生产装配线,实行生产管理封闭式、办公管理电脑程序化、品质管理表格化,从而为公司的产品质量奠定了坚实的基础。
   公司的铅酸蓄电池已销往欧洲、北美洲、东南亚、中东、南美洲等八十几个***和地区,倍受各界同仁好评。

奥特多蓄电池广泛应用于:UPS不间断电源、消防应急照明、太阳能/风能、电力、***、宾馆、船舶、安防、供发电站、***、电动玩具、电动工具、测量仪器、铁路、石油系统、摩托车、汽车、电动车、剪草机等领域。奥特多蓄电池已获得:美国UL认证、欧盟CE认证、高新技术企事业证书、福建省***商标、ISO9001、ISO14001、泰尔产品认证、采用国际标准产品认证、出口产品质量许可证以及各类检验检疫报告。 

奥特多蓄电池公司从20世纪90年代中期就开始研发阀控密封蓄电池产品,先后引进美国JBI和日本同行业***新的技术软件,目前的产品范围覆盖6V、12V和2V全系列产品。生产规模连年扩大。目前位于保定市郊的工业电池***占地200多亩,阀控密封蓄电池年生产能力达到400万KVAh(约20亿Ah),奥特多蓄电池的目标是将工业电池***建成与***水平同步的阀控密封蓄电池生产基地。

      奥特多蓄电池拥有完善的质量管理体系,先后通过质量管理体系ISO9001认证、环境管理体系ISO14001认证和职业健康安全管理体系GB/T28001认证。并通过了***、广播电视总局、***等重要行业部门的入网检测及美国UL认证。奥特多蓄电池多年来广泛应用于通信、铁路、电力、***等系统,并且远销美国、澳大利亚、印度等十几个***和地区。

①过电流损坏

为了避免IGBT发生擎住效应而损坏,电路设计中应保证IGBT的***大工作电流应不超过IGBT的IDM值,同时注意可适当加大驱动电阻RG的办法延长关断时间,减小IGBT的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT的擎住效应,驱动电压低,承受过电流时间长,IGBT必须加负偏压,IGBT生产厂家一般推荐加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下,驱动正电压在10—15V之间,漏极电流可在5~10μs内超过额定电流的4~10倍,所以驱动IGBT必须设计负偏压。由于UPS负载冲击特性各不相同,且供电的设备可能发生电源故障短路,所以在UPS设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的,可考虑采用IGBT厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840,三菱公司的M57959AL,57962CL,它们对IGBT的集电极电压进行检测,如果IGBT发生过电流,内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护IGBT,根据IR公司的资料,IR公司推荐的短路保护方法是:首先检测通态压降Vce,如果Vce超过设定值,保护电路马上将驱动电压降为8V,于是IGBT由饱和状态转入放大区,通态电阻增大,短路电路减削,经过4us连续检测通态压降Vce,如果正常,将驱动电压***正常,如果未***,将驱动关闭,使集电极电流减为零,这样实现短路电流软关断,可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT,另外根据***新三菱公司IGBT资料,三菱推出的F系列IGBT的均内含过流限流电路(RTCcircuit),如图6,当发生过电流,10us内将IGBT的启动电压减为9V,配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。

过电压损坏

防止过电压损坏方法有:优化主电路的工艺结构,通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感;适当增加IGBT驱动电阻Rg使开关速度减慢(但开关损耗也增加了);设计缓冲电路,对尖峰电压进行***。用于缓冲电路中的二极管必须是快***的二极管,电容必须是高频、损耗小,频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。常见电路有耗能式和回馈式缓冲电路。回馈式又有无源式和有源式两种,详细电路设计可参见所选用器件的技术手册。

③桥臂共导损坏

在UPS中,逆变桥同臂支路两个驱动必须是互锁的,而且应该设置死区时间(即共同不导通时间)。如果发生共导,IGBT会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题控制时序问题。

④过热损坏

可通过降额使用,加大散热器,涂敷导热胶,强制风扇制冷,设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。此外还要注意安装过程中的静电损坏问题,操作人员、工具必须进行防静电保护。

5.结论

①IGBT兼具有功率MOSFET和GTR的优点,是UPS中的充电、旁路开关、逆变器,整流器等功率变换的理想器件。

②只有合理运用IGBT,并采取有效的保护方案,才可能提高IGBT在UPS中的可靠性。

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