五、***
在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid， CA），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。
***方法：
a、接触式***（Contact Printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。
b、接近式***（Proximity Printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。
c、投影式***（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现***。
d、步进式***(Stepper)
NR77-5000PY
PR1-2000A1 试验操作流程
PR1-2000A1的厚度范围可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm为列；
1，静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度；
2，光刻胶，前烘：热板120度120秒；
3，光刻胶 PR1-50A，冷却至室温；
4，用波长为365，光刻胶 PR1-200A，406，436的波长***，
5，在温度为20-25度，使用RD6浸泡式、喷雾、显影 ；
6，去除光刻胶，可使用CH3COCH3，RR5，RR41等。
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序：
一、清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性
基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，光刻胶 PC3-1500，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。
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