




单光子探测器的性能分析
以InGaAsP/InP雪崩光电二极管(APD)为核心器件的红外单光子探测技术,在量子信息技术领域的广泛应用,单光子原理,使其成为近年的研究热点。根据InGaAsP/InPAPD在红外通信波段实现单光子探测的要求和特点,通过APD的门控电路和实验结果分析,探讨了门模式下各种参数与暗计数率、量子效率、量子误码率、信号传输速率之间的关系,单光子厂家,为门模参数的选择提供依据。结果表明:偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择,山东单光子,对提高探测器性能起着关键的作用。
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光电探测器的历史发展
1873年,英国发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到50年代中期,单光子价格,性能良好的硒化镉光敏电阻和红外波段光电探测器都已投入使用。60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。
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单光子计数器——光子计数的组成与原理
组成部分:光子计数器主要由光电倍增管、放大器、甄别器和计数器组成。
原理:光电计数器工作时,光电倍增管的光电阴极接受光辐射的照射,在光电倍增光的负载上形成了一系列的电脉冲,把它连接到放大器上。这些脉冲经放大器放大后,加在甄别器的输入器上,甄别器滤除部分噪音脉冲,只允许那些和光辐射功率成正比的脉冲通过,并送入计数器。
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