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3.陶瓷电容器

用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，高压直流滤波电容器哪家好，但容量小，适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。

4.云母电容器

用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，高压直流滤波电容器，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小，适用于高频电路。

5.薄膜电容器

结构相同于纸介电容器，介质是涤纶或聚***。涤纶薄膜电容，介质常数较高，体积小、容量大、稳定性较好，适宜做旁路电容。聚***薄膜电容器，介质损耗小、绝缘电阻高，但温度系数大，可用于高频电路。

旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。

去藕

从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上 升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对 于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，优质高压直流滤波电容器，这就是耦合作用。

储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000 uF之间的铝电解电容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10 KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

为了研究、解决以上这些问题，后来发展起来了一门学科 EMC。若想更深入了解，读 者可以去研读一下郑军奇的《EMC 电磁兼容设计与测试案例分析》，有些例子相当经典。这 里顺便为读者扩展几个概念，希望读者能够了解。

（1）去耦。当器件高速开关时，把射频能量从高频器件的电源端泄放到电源分配网络。 去耦电容也为器件和元件提供一个局部的直流源，这对减小电流在板上传播浪涌尖峰很有 作用。

（2）旁路。把不必要的共模 RF 能量从元件或线缆中泄放掉。它的实质是产生一个交 流支路来把不需要的能量从易受影响的区域泄放掉。另外，它还提供滤波功能（带宽限制）， 有时笼统地称为滤波。

（3）储能。当所用的信号脚在***1大容量负载下同时开关时，用来保持提供给器件恒定 的直流电压和电流。它还能阻止由于元件 di/dt 电流浪涌而引起的电源跌落。如果说去耦是 高频的范畴，那么储能可以理解为是低频范畴。