CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，宁波铝阳极氧化，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，铝阳极氧化厂，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
注意事项1、 抛光时必须坚持“宁可慢，铝阳极氧化设备，不可快，宁轻，勿重”的原 则，避免抛漆。2、 把电线背起来，以免伤人、伤机、缠线，严禁电线接触。3、 抛光蜡可先倒在漆面上均匀分散，防止漆面飞溅。4、 漆面抛光前建议先用洗车泥擦拭，去除油漆表面附着的表层颗粒和污染物。5、 抛前机盖时，用大毛巾或者是遮蔽膜盖住前挡玻璃，避免抛光蜡沾在玻璃密封条与雨刮器上难以擦除。6、 抛光蜡均匀涂在羊毛盘或海绵盘上，防止飞溅、浪费材料。7、 使用完毕后正确放置机器，两手柄支地，毛轮朝上。
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化学抛光的优缺点：
1：优点： 操作简便、快速，无需专用仪器。抛光后试样表面无变形层，铝阳极氧化处理，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示***，抛光结束之后可以观察***，不需再做侵蚀显示。
2：缺点：抛光液容易失效，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响
注意事项1、 抛光时必须坚持“宁可慢，铝阳极氧化设备，不可快，宁轻，勿重”的原 则，避免抛漆。2、 把电线背起来，以免伤人、伤机、缠线，严禁电线接触。3、 抛光蜡可先倒在漆面上均匀分散，防止漆面飞溅。4、 漆面抛光前建议先用洗车泥擦拭，去除油漆表面附着的表层颗粒和污染物。5、 抛前机盖时，用大毛巾或者是遮蔽膜盖住前挡玻璃，避免抛光蜡沾在玻璃密封条与雨刮器上难以擦除。6、 抛光蜡均匀涂在羊毛盘或海绵盘上，防止飞溅、浪费材料。7、 使用完毕后正确放置机器，两手柄支地，毛轮朝上。
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