氧化抛光液氧化抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，两酸抛光配方，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。
这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，无锡两酸抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。
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化学抛光溶液：
化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、***、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，使化学抛光过程均匀进行。
化学抛光操作步骤
1：试样准备：试样经精磨光后清洗。
2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，根据试样材料选择化学抛光液配方，配溶液时应用蒸馏水，***用化学纯***。某些不易溶于水的***需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，溶液内金属离子增多，两酸抛光哪家好，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。
3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。
4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。
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