依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，杭州铝阳极氧化，则表面产生高损伤层。
抛光就是对工件表面进行加工，使其高度光洁。一般用附有细磨粉的软质轮子高速旋转来擦拭工作。此外还有液体抛光、电解抛光等方法。简单说抛光剂就是使物件表面光亮的***。抛光后的产品亮度均匀一致，且本药剂的处理温度为中温，无需加过高的温度。抛光剂（俗称：光亮剂）：淡***或***透明液体制剂。根据市场需求不断演化出针对不同材质的制剂（大至有不锈钢抛光剂、镁合金抛光剂、铜抛光剂、铝合金抛光剂、玻璃抛光粉、钻研抛光粉等）。 [1] 用 途：适合各种不锈钢或金属制品抛光。性 状：液体产品。工艺条件：抛光机配套使用腐 蚀 性：对不锈钢无腐蚀，保持金属表面光亮度，铝阳极氧化处理，不变色，铝阳极氧化染料，刺。毒 性：***，不污染环境。配 比：1:5~10(以能润湿工件为准)温 度：常温使用
金属的化学抛光，常用、磷酸、***、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，铝阳极氧化厂，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要***终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、***混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。
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