影响MBE分子束外延的因素有哪些？
1、外延温度为了引起外延，基片的温度应达到某一温度值，即有必要加热到外延温度以上，当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关，不同条件下的外延温度是不同的。
2、基片结晶的臂开在过去的常规研究方面，基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制取外延单晶膜。已经研究了晶面一旦臂开就立刻进行制膜的方法。由于这两种方法不同，分子束外延，其外延温度也有所不同。基片结晶在真空下臂开而引起的处延临界温度的不同值。
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影响MBE分子束外延的因素有哪些？
1、压力的影响
在10-3Pa真空度下，臂开的表面，在1秒钟时间内即可被残余气体的单原于层所覆盖，若在10-5~10-7Pa真空条件下臂开而立即进行蒸镀，分子束外延厂家，则外延温度应当更进一步地降低，但实险表明，并非如此。如M和A，在高真空下进行外延蒸镀与在超高真空下进行外延蒸镀，其结果并没有多少差别。然而，cu、Ag、Au在超高真空下，使(001)面同基片相平行，则很难生成单晶膜，这说明对Cu、Ag、Au进行外延蒸镀时，基片表面还需要进行适当的污染。
2、蒸发速度影响如果降低蒸发速度，外廷温度Te也降低，如下图所示，分子束外延报价，在N***上面蒸镀外延Au时，N***上面的平行方位的蒸铰速度降低，就可以在较低的基片温度下进行晶体外延。
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MBE分子束外延的来源
分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超晶格器件，扩展了半导体科学的新领域，进一步说明了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响。分子束外延的优点就是能够制备超薄层的半导体材料；外延材料表面形貌好，而且面积较大均匀性较好；可以制成不同掺杂剂或不同成份的多层结构；外延生长的温度较低，有利于提高外延层的纯度和完整性；利用各种元素的粘附系数的差别，可制成化学配比较好的化合物半导体薄膜。
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