刻蚀技术
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刻蚀技术（etching technique），轰击离子束刻蚀机，是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
离子束刻蚀常见的效应
刻蚀的理想结果是将掩模(mask)的图形准确地转移到基片_上，轰击离子束刻蚀机原理，尺寸没有变化。由于物理溅射的存在，掩模本身的不陡直和溅射产额随离子束入射角变化等原因，轰击离子束刻蚀机价格，产生了刻面( Faceting)、槽底开沟(Trenching or Ditching) 和再沉积等现象，轰击离子束刻蚀机厂家，这些效应的存在降低了图形转移精度。
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离子束刻蚀的入射角
在离子束刻蚀过程中，选择合适的入射角可以提高刻蚀效率，这只是一个方面。另一个方面是靠合适的入射角度控制刻蚀图形的轮廓。下图给出了不同角度的刻蚀结果。
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