MBE分子束外延的特点
分子束外延与其他外延方法相比具有如下的特点：
1）源和衬底分别进行加热和控制，生长温度低，分子束外延报价，如GaAs可在500摄氏度左右生长，可减少生长过程中产生的热缺陷及衬底与外延层中的杂质的扩散，可得到杂质分布陡峭的外延层；
2）生长速度低，可以利用快门精密的控制掺杂、组合和厚度，是一种原子级的生长技术，分子束外延价格，有利于生长多层异质结构；
3）MBE生长不是在热平衡条件下进行的，是一个动力学过程，因此可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体；
4）生长过程中，表面处于真空中，分子束外延，利用附设的设备可以进行原位（即时）观测，分析、研究生长过程、组分、表面状态等。
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MBE分子束外延系统的原理
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分子束外延，就是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。由于采用四极质谱仪对分子束的强度、相对比进行监控，并将测到的信息反馈到各个喷射炉，就可以准确地控制结晶生长。如果再装上高能电子衍射仪及其他分析仪器，则可以进行沉积系统中结晶生长过程的研究。
分子束外延系统简介
设备名称：分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）。
设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
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