离子束刻蚀机的原理
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利用辉光放电原理将ya气分解为ya离子，ya离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，离子束刻蚀机哪家好，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。
刻蚀气体的选择
对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用Cl2或SF6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2；刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蚀Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料，可选择气体种类较多，比如CF4、CF4 H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：CHF3 e——CHF 2 F (游离基) 2e，SiO 2 4F SiF4 (气体) O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF 2 基团反应， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体 [3] 。
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离子束刻蚀机
离子束刻蚀机由真空室、工作台、快门、真空抽气系统、供气系统、水冷系统、电源和 电器系统等主要部分组成，图1-1所示为离子束刻蚀机的工作原理图。该机在正常工作 时，首先将真空室的压力抽至2×10-3Pa或更低，离子束刻蚀机生产厂家，再调节Ar气流量，使真空室压力保持 在1×10-2~2×10-2Pa(如需要辅助气体，如O2、CH2等，离子束刻蚀机厂家，则可按一定比例与之混合)，离子束刻蚀机， 然后启动离子源各电源，使离子源正常工作，从离子源引出一定能量和密度的离子束 被中和器发射的电子中和后，轰击工件进行溅射刻蚀。
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