





离子束刻蚀机的特点
刻蚀过程是纯物理溅射,可以刻蚀任何固体材料;平行离子束刻蚀,高各向异性;无钻蚀;精度高,分辨率lt;0.01um.
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刻蚀过程
普通的刻蚀过程大致如下:先在表面涂敷一层光致抗蚀剂,然后透过掩模对抗蚀剂层进行选择性***,由于抗蚀剂层的已***部分和未***部分在显影液中溶解速度不同,离子束刻蚀机原理,经过显影后在衬底表面留下了抗蚀剂图形,以此为掩模就可对衬底表面进行选择性腐蚀。如果衬底表面存在介质或金属层,则选择腐蚀以后,图形就转移到介质或金属层上。
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刻蚀工艺过程
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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离: 气体由等离子体分离为可化学反应的元素; 扩散: 这些元素扩散并吸附到硅片表面; 表面扩散:到达表面后, 四处移动; 反应: 与硅片表面的膜发生反应; 解吸: 反应的生成物解吸, 离开硅片表面; 排放: 排放出反应腔。


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