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真空镀膜之多弧离子镀 ：该装置的优点是阴极电弧源既是蒸发源和离化源 ,又是加热源和轰击源,不用熔池,弧源可任意方位,多源布置。离化率高,一般可达60%-80%蒸发沉积速率快, 入射粒子能量高,沉积膜的质量和附着性能好。2、在控制掺杂、生长平滑的多层膜等方面PLD生长部比较困难，因此进一步提高薄膜的质量会比较困难。可蒸发各种导电材料,金属或合金, 成份不受限制。能进行反应镀膜,缺点是易于产生液滴,***不致密。
真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：
电子的运动路径不仅很长，而且被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，在该区中电离出大量的离子用来轰击靶材，从而实现了磁控溅射沉积速率高的特点。随着碰撞次数的增加，电子的能量逐渐降低,同时逐步远离靶面。电子束蒸发源的优点为：①电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度。低能电子沿着磁力线来回振荡，待电子能量将耗尽时，在电场的作用下***终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传给基片的能量很小，致使基片温升较低。由于磁极轴线处电场与磁场平行，电子将直接飞向基片。但是在磁控溅射装置中， 磁极轴线处离子密度很低， 所以这类电子很小，对基片温升作用不大。
镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：
基体温度：镀膜时基体温度直接影响膜层的结构、致密性和附着力，温度可用T/Tm值来确定，如；靶材为钛，其熔点为1670℃，基体温度应该选择TI/TM=0.15-0.25即 250-417℃才能得到理想的晶粒***。镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。考虑到沉积粒子受负偏压作用加速轰击工件还会引起温升，基体可选在250-300℃
