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PL3332副边导通时,PL3116B同步整流芯片,电流首先流过功率 MOS 的体二极管,当芯片检测到功率 MOS 漏极与源极压差小于V ON_TH 时,PL3115B同步整流芯片,芯片经过时间 T DON 开启功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分别为-200mV 和 80ns。


PL3332关键特性:车规级(-40°-125°C )、低待机、强抗干扰、强保密(IC 卡级)主要应用:智能家居、小家电、智能照明、电机驱动、电动工具、触摸按键、汽车遥控、PD、QC、电池管理等
PL3331
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PL3331副边导通时,电流首先流过功率 MOS 的体二极管,当芯片检测到功率 MOS 漏极与源极压差小于V ON_TH 时,PL3332同步整流芯片,芯片经过时间 T DON 开启功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分别为-200mV 和 80ns。


PL3331当流经功率 MOS 的电流逐渐下降,直到 MOS 漏极与源极的压差超过 V OFF_TH 时,芯片经过时间 T DOFF开启功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分别为-12mV 和 50ns。
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PL3394A 为小功率的适配器/充电器应用提供了有效的低成本解决方案,同时也能满足国际能源标准要求。

PL3394A 该系列同时提供多种保护功能,同步整流芯片,主要包括 OVP、OCP、OLP等。为了防止外部功率 MOS 管栅极因高压损毁,该系列的驱动输出被钳位在 15V。低成本、高性能的电流模PWM控制芯片,其优异的性能可满足小功率开关电源的低功耗要求。
同步整流芯片-ASEMI-PL3115B同步整流芯片由强元芯电子(广东)有限公司提供。“整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快***二极管”就选强元芯电子(广东)有限公司(),公司位于:深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层,多年来,强元芯电子坚持为客户提供好的服务,联系人:李绚。欢迎广大新老客户来电,来函,亲临指导,洽谈业务。强元芯电子期待成为您的长期合作伙伴!同时本公司()还是从事三相整流桥,深圳三相整流桥,深圳三相整流桥整流模块的厂家,欢迎来电咨询。

