干法刻蚀
干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀（Pla***a Etching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
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离子束刻蚀机
具有一定能量的离子束轰击样品表面，把离子束动能传给样品原子，使样品表面的原子挣脱原子间的束缚力而溅射出来，从而实现刻蚀目的。这是纯粹的物理溅射过程。
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离子束刻蚀的入射角
在离子束刻蚀过程中，选择合适的入射角可以提高刻蚀效率，这只是一个方面。另一个方面是靠合适的入射角度控制刻蚀图形的轮廓。下图给出了不同角度的刻蚀结果。
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