离子属刻蚀机的注意事项
创世威纳——***离子束刻蚀机供应商，我们为您带来以下信息。
#.在设备工作时,禁止扶、靠设备，禁止触摸高频电缆和线圈，以免发生意外
#.高频电源实际使用功率不能超过较大限制#.检查设备时，必须关机后切断电源
#. 工作场地必须保持清洁、干燥，设备上及设备周围不得放置无关物品，特别是易1燃、易1爆物品
#.长期停放时注意防潮，拆除电源进线，每隔3-5天开一次机，保证反应室真空以免被污 染
#.设备停机、过夜也要保持反应室真空，如停机较长时间后再进行刻蚀工艺，需***行一次空载刻蚀，再刻蚀硅片
刻蚀气体的选择
对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用Cl2或SF6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2；刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蚀Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料，可选择气体种类较多，比如CF4、CF4 H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：CHF3 e——CHF 2 F (游离基) 2e，SiO 2 4F SiF4 (气体) O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF 2 基团反应， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体 [3] 。
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离子束刻蚀
离子束加工(mM)利用具有较高能量的离子束射到材料表面时所发生的撞击效应、溅射效应和注入效应来进行不同的加工。由于离子束轰击材料是逐层去除原子，所以可以达到纳米级的加工精度。离子束加工按其工艺原理和目的的不同可以分为三种：用于从工件上去除材料的刻蚀加工、用于给工件表面涂覆的镀层加工以及用于表面改性的离子注入加工。由于电子束和离子束易于实现准确的控制，所以可以实现加工过程的全自动化，但是电子束和离子束的聚焦、偏转等方面还有许多技术问题尚待解决