磁控方箱生产线介绍
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标： 极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S； ***真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气）
镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜； 样品基片: 负偏压 -200V
样品转盘：在基片传输线上连续可调可控，在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其水平传递；
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位定点镀膜。
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自动磁控溅射系统概述
带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，大到6"旋转平台，可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。
带有14”立方形不锈钢腔体，4个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，350 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。
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真空镀膜的厚度均匀性主要取决于什么？
沈阳鹏程真空技术有限责任公司***生产、销售磁控溅射产品，以下信息由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供。
蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜，具体则包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，溶胶凝胶法等等
对于蒸发镀膜：
一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程(散点-岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。
厚度均匀性主要取决于：
1、基片材料与靶材的晶格匹配程度
2、基片表面温度
3、蒸发功率，速率
4、真空度
5、镀膜时间，厚度大小。
组分均匀性：
蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。
晶向均匀性：
1、晶格匹配度
2、基片温度
3、蒸发速率
