镀膜设备原理及工艺
主要溅射方式：
反应溅射是在溅射的惰性气体气氛中,通入一定比例的反应气体,通常用作反应气体的主要是氧气和氮气。
直流溅射(DC Magnetron1 Sputtering)、射频溅射(RF Magnetron1 Sputtering)、脉冲溅射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中频溅射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)
直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中,其工艺设备简单,有较高的溅射速率。
中频交流磁控溅射在单个阴极靶系统中,与脉冲磁控溅射有同样的释放电荷、防止打弧作用。（2）新型反应溅射技术笔者对现有反应溅射技术方案进行了改进，开发出新的反应溅射技术，解决了镀膜沉积速度问题，同时膜层的纯度达到光学级别要求。中频交流溅射技术还应用于孪生靶(Twin2Mag)溅射系统中,中频交流孪生靶溅射是将中频交流电源的两个输出端,分别接到闭合磁场非平衡溅射双靶的各自阴极上,因而在双靶上分别获得相位相反的交流电压,一对磁控溅射靶则交替成为阴极和阳极。孪生靶溅射技术大大提高磁控溅射运行的稳定性,可避免被毒化的靶面产生电荷积累,引起靶面电弧打火以及阳极消失的问题,溅射速率高,为化合物薄膜的工业化大规模生产奠定基础。
连续式的磁控溅射生产线 总体上可以分为三个部分: 前处理, 溅射镀膜, 后处理。
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前处理（清洗工序）
要获得结合牢固、致密、无针1孔缺陷的膜层, 必须使膜层沉积在清洁、具有一定温度甚至是的基片上。本文***探讨了磁控溅射在光学镀膜中的应用，包括膜层设计和镀膜工艺。为此前处理的过程包括机械清洗(打磨、毛刷水洗、去离子水冲洗、冷热风刀吹净)、烘烤、辉光等离子体轰击等。机械清洗的目的是去除基片表面的灰尘和可能残留的油渍等***, 并且不含活性离子, 必要时还可采用超声清洗。烘烤的目的是彻底清除基片表面残余的水份, 并使基片加热到一定的温度, 很多材质在较高的基片温度下可以增强结合力和膜层的致密性。基片的烘烤可以在真空室外进行, 也可以在真空室内继续进行, 以获得更好的效果。但在真空室内作为提供热源的电源应有较低的电压, 否则易于引起放电。辉光等离子体轰击清洗可以进一步除去基片表面残留的不利于膜层沉积的成份, 同时可以提高基片表面原子的活性。
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磁控溅射
磁控溅射法是在高真空充入适量的ya气，在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁) 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使ya气发生电离。
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