磁控溅射镀膜机
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ITO 薄膜的磁控溅射靶主要分为InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶两类。在用合金靶制备ITO 薄膜时,由于溅射过程中作为反应气体的氧会和靶发生很强的电化学反应,靶面覆盖一层化合物,使溅射蚀损区域缩得很小(俗称“靶zhong毒”) ,以至很难用直流溅射的方法稳定地制备出优质的ITO 膜。也就是说,采用合金靶磁控溅射时,工艺参数的窗口很窄且极不稳定。陶瓷靶因能***溅射过程中氧的选择性溅射,能稳定地将金属铟和锡与氧的反应物按所需的化学配比稳定地成膜,故无zhong毒现象,工艺窗口宽,稳定性好。但这不等于说陶瓷靶解决了所有的问题,其薄膜光电性能仍然受制于基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数的影响,不同工艺制备出的ITO 薄膜的光电性能相差甚远。因此,开展ITO陶瓷靶磁控溅射工艺参数的优化研究很有意义。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。
磁控溅射镀膜仪应用广泛
目前我国磁控溅射镀膜仪市场销售非常火热，这是一项热门的新技术，它带给企业和厂家的不仅仅是技术，还能够节省大量的人工运作成本，因此深受广大用户的青睐。
磁控溅射镀膜设备可制备多种薄膜，不同功能的薄膜，还可沉积组分混合的混合物、化合物薄膜；磁控溅射等离子体阻抗低，从而导致了高放电电流，在约５００Ｖ的电压下放电电流可从１Ａ 到１００Ａ（取决于阴极的长度）；成膜速率高，沉积速率变化范围可从１ｎｍ／ｓ到１０ｎｍ／ｓ；成膜的一致性好，甚至是在数米长的阴极溅射的情况下，仍能保证膜层的一致性；基板温升低；为便于控制氧含量,我们采用混合比为85∶15的氧混合气代替纯氧,气体喷孔的设计保证了基底各处氧分子流场的均匀性。溅射出来的粒子能量约为几十电子伏特，成膜较为致密，且膜基结合较好。
磁控溅射镀膜设备得以广泛的应用是因为该技术的特点所决定的，其特点可归纳为：可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料，以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质。
另外磁控溅射调节参数则可调谐薄膜性能，尤其适合大面积镀膜，沉积面积大膜层比较均匀。
近年来，磁控溅射镀膜设备在我国愈发的流行，从侧面反映出了我国工业发展十分迅速，今后设备取代人工的可能性是非常巨大的。
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溅射原理
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1.1 溅射定义
就像往平静的湖水里投入石子会溅起水花一样，用高速离子轰击固体表面使固体中近表面的原子（或分子）从固体表面逸出，这种现象称为溅射现象。
1.2 溅射的基本原理
溅射是指具有足够高能量的粒子轰击固体表面使其中的原子发射出来。早期人们认为这一现象源于靶材的局部加热。但是不久人们发现溅射与蒸发有本质区别，并逐渐认识到溅射是轰击粒子与靶粒子之间动量传递的结果。