ICP刻蚀机简介
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司***生产化学气相沉积，欢迎新老客户莅临。
一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、
硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用优质铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，
内腔尺寸Ф340mm×160mm；
3.极限真空度：≤6.6x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用FF160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；
系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.ICP头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；
8. 沉积工作真空：1-20Pa；
9. 气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56MHz，功率600W，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。
气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫
12. 刻蚀速率
SiO2：≥0.5μm/min
Si：≥1μm/min
光刻胶：≥1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%（Φ4英寸范围内）
优于±6%（Φ6英寸范围内）
13. 选择比
CF4的选择比为50,
化学气相沉积法在金属材料方面的使用
想要了解更多化学气相沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。
钯的化学气相沉积Pd 及其合金对氢气有着极强的吸附作用以及特别的选择渗透性能，是一种存储或者净化氢气的理想材料。对于Pd 的使用大多是将钯合金或是钯镀层生产氢净化设备 。也有些学者使用化学气相沉积法将钯制成薄膜或薄层。具体做法是使用分解温度极低的金属有机化合物当做制备钯的材料，具体包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之类的材料，使用这种方式能够制取出纯度很高的钯薄膜。
ICP刻蚀机检测技术
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。
光学发射:
光学发射光谱法（OES）是使用较为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终点检测。等离子体中的原子或分子被电子激发到激发态后，在返回到另一个能态时，伴随着这一过程所发射出来的光线。
光线的强度变化可从反应腔室侧壁上的观测孔进行观测。不同原子或分子所激发的光波波长各不相同，光线强度的变化反应出等离子体中原子或分子浓度的变化。被检测的波长可能会有两种变化趋式：一种是在刻蚀终点时， 反应物所发出的光线强度增加；另一种情形是光线强度减弱。
激光干涉：
激光干涉终点法（IEP）是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。
如需了解更多ICP刻蚀机的相关信息，欢迎关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站或拨打图片上的热点电话，我司会为您提供专业、周到的服务。