直流磁控溅射-创世威纳科技公司

镀膜设备原理及工艺

前处理（清洗工序）

要获得结合牢固、致密、无针1孔缺陷的膜层， 必须使膜层沉积在清洁、具有一定温度甚至是的基片上。为此前处理的过程包括机械清洗(打磨、毛刷水洗、去离子水冲洗、冷热风刀吹净)、烘烤、辉光等离子体轰击等。机械清洗的目的是去除基片表面的灰尘和可能残留的油渍等***， 并且不含活性离子， 必要时还可采用超声清洗。烘烤的目的是彻底清除基片表面残余的水份， 并使基片加热到一定的温度， 很多材质在较高的基片温度下可以增强结合力和膜层的致密性。基片的烘烤可以在真空室外进行， 也可以在真空室内继续进行， 以获得更好的效果。但在真空室内作为提供热源的电源应有较低的电压， 否则易于引起放电。辉光等离子体轰击清洗可以进一步除去基片表面残留的不利于膜层沉积的成份， 同时可以提高基片表面原子的活性。

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真空磁控溅射镀膜

说白了无心插柳就是说用荷能物体（一般 用稀有气体的正离子）去轰击固态（下列称靶材）表层，进而造成靶材表层上的分子（或分子结构）从在其中逸出的这种状况。这一状况是格洛夫（Grove）于1842年在试验科学研究阴极浸蚀难题时，阴极原材料被转移到真空管内壁而发觉的。

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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？

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靶zhong毒的物理解释

（1）一般情况下，直流磁控溅射，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶zhong毒时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶zhong毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。