引线框架制作方法有哪些
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
加工方法：1、线切割：此种工艺加工的引线框架，缝隙周边会有一些缺陷。由于线切割会产生一些油污等，需要后期清理，清洗要干净。另外，线切割由于丝的快慢直接影响到缝的垂直边的直线度，所以尽量用使用慢走丝加工。关键处的下刀和收刀的口的衔接部份，需要后期毛剌的抛光处理。相对来说效率比较低，而且对于一些超薄材料的加工，不太适合。线切割加工的缝隙宽度一般都在0.2mm以上，对于一高精密的引线框架是不能满足要求的。
2、激光加工引线框架比线切割的效率要快。但也存在切割加工的一些不足，比如：下刀和收刀口的棱边处理。由于激光是通过光温烧切材料，容易在缝的周边存留一下残渣，残渣的颜色都是黑色，而且很难清理。激光加工的小的缝可以达到0.1mm，甚至更小的缝。但是，放大N倍后，波浪纹的存在是其大的缺陷。另外，激光加工引线框架容易通过高温改变材料的性质，对于一些特殊材料的材料，容易产生影响。
化学蚀刻中常见的问题
1、边缘轮廓线不清楚，这种情况是因为零件表面沾污，如手印、化学污染、氧化膜、防蚀层边缘不清晰等，还有就是蚀刻液浓度不在工艺规定范围内，这种情况下首先需要加强各工序管理，防止二次污染，在蚀刻之前对防蚀层检查要严格，其次分析调整蚀刻液各成分至工艺规定范围。
2、粗糙的蚀刻表面，被蚀刻表面有沟槽、留痕及点蚀，其主要原因是蚀刻液中AI3 浓度太高，NaOH浓度太高或太低，蚀刻后酸洗后，漂洗不净，纠正的方法就是分析调整蚀刻液各成份浓度到工艺规定范围，加强酸洗后的水洗质量。
3、形成凹坑主要是因为蚀刻液中AI3 浓度及NaOH浓度太高，处理的方法就是稀释蚀刻液，降低浓度。
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兴之扬针对金属蚀刻加工能力如何
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