化学气相沉积设备批发-沈阳鹏程(在线咨询)-化学气相沉积设备

ICP刻蚀机的操作及判断

1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。

2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。

3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。

4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，化学气相沉积设备，进行刻蚀。

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ICP刻蚀机的结构

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ICP设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。

（1）预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将***性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。

（2）刻蚀腔体刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有：上电极、ICP 射频单元、RF 射频单元、下电极系统、控温系统等组成。

（3）供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器（PC）和质量流量控制器（MFC）精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。

（4）真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，化学气相沉积设备生产厂家，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。

PCVD工艺的具体流程

PCVD工艺的具体流程如下：

(1)沉积。沉积过程借助低压等离子体使流进高纯度石英玻璃沉积管内的气态卤化物和氧气在1000℃以上的高温条件下直接沉积成设计要求的光纤芯中玻璃的组成成分。

(2)熔缩。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对小断旋转的管子加热到大约2200℃，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒(预制棒)。

(3)套棒。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过精心挑选的管子中，这样装配后即可进行拉丝。

(4)拉丝。套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100℃的高温炉中，化学气相沉积设备批发，此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125 cm)，并进行双层涂覆和紫外固化。

(5)光纤测试。拉出的光纤要经过各种试，以确定光纤的几何、光学和机械性能。

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