关于碳化硅的几个事件
1905年 次在陨石中发现碳化硅。
1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。
1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。
1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用"LELY改进技术"的晶粒提纯生长方法。
1987年~至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。
在上述各层料中，通常将未反应料和一部分氧碳化硅层料作为乏料收集，将氧碳化硅层的另一部分料与无定形物、二级品、部分粘结物一起收集为回炉料，西藏碳化硅，而一些粘结很紧、块度大、杂质多的粘结物则抛弃之。而一级品则经过分级、粗碎、细碎、化学处理、干燥与筛分、磁选后就成为各种粒度的黑色或绿色的SiC颗粒。要制成碳化硅微粉还要经过水选过程;要做成碳化硅制品还要经过成型与结烧的过程。
利用碳化硅具有耐高温，强度大，导热性能良好，抗冲击，作高温间接加热材料，碳化硅铸造，如坚罐蒸馏炉，精馏炉塔盘，铝电解槽，碳化硅粉末，铜熔化炉内衬，炉用弧型板，热电偶保护管等。利用碳化硅的耐腐蚀，抗热冲击耐磨损，导热好的特点，黑碳化硅，用于大型高炉内衬提高了使用寿命。碳化硅硬度仅次于金刚石，具有较强的耐磨性能，是耐磨管道、叶轮、泵室、旋流器、矿斗内衬的理想材料，其耐磨性能是铸铁.橡胶使用寿命的5--20倍amp;def也是航空飞行跑道的理想材料之一。
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