磁控溅射镀膜机的特点
擅长生长高质量的薄膜或是超薄 膜， 金属与绝缘材料.保证 ***的抽气速度， 与友厂对比，氢和氧的污染系数好数十倍. 可制作与外延品质类似的薄膜..烘烤时可把磁铁拆下以保护磁铁不退磁. 客户可选择 RHEED， 在磁铁拆下时可检测样品薄膜的质量. Sputter 24 均匀性及重现性非常出色， 可以使用DC， RF， 脉冲直流电源. 标准材料与磁性材料均可使用. 可安排成共溅射与垂直溅射， 根据需求设计安装.
与激光加热器联用可变为反应型磁控溅射， 可成长氧化物薄膜与氮化物薄膜等. 正下方可安装一只离子源， 可以提供样品清洗与辅助镀膜.
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双室磁控溅射系统
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设备简介
主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，磁控方箱生产线价格，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内***优的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地保障。 目前该系列有基本型、旗舰型、豪华型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根据客户的不同需求进行配置，磁控方箱生产线厂家，比较灵活；标配4只Φ2英寸永磁靶，磁控方箱生产线，4台500W直流溅射电源，主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。
磁控溅射——溅射技术介绍
直流溅射法：直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，磁控方箱生产线销售，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料。因为轰击绝缘靶材时，表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法（RF）。
溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子；某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒（对于金属是5-10 eV），从而从晶格点阵中被碰撞出来，产生离位原子；这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联；当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能（对于金属是1-6eV），这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。
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