




化学退镀法: 化学退镀法不使工件受腐蚀,适用几何形状复杂的工件,且可做到退镀均匀。
配方1:浓HNO3,20~60℃。本液成本低,速度快一(30~40μm/h),毒性小。适用尺寸精密要求不高的工件退镀,防止带入水、退镀完毕迅速入盐酸中清洗后再用流动水清洗。
配方2:HNO3(1∶1),20~40℃,退速快(10μm/5~6min),化学镀镍加工厂家,适用不锈钢。
配方3:浓HNO31000ml/L,N***20g/L,尿素10g/L(***NOX气体的生成),六次jia基四胺5g/L,化学镀镍,室温,退速20μm/h。
配方4:间硝基ben磺酸钠60~70g/L,***100~120g/L,硫qing酸钾0.5~1g/L,80~90。C,适用铜及铜合金工件的退镀,退镀表面为深棕色时,化学镀镍报价,取出后充分清洗,再除棕色膜(NaCN30g/L,化学镀镍价格,NaOH30g/L,室温)。
按照化学动力学经验公式,化学镀镍沉积速度为镀液温度的指数函数;某些化学镀液温度升高1℃,沉积速度增加5%-7%。在较高温度下速度较快,但是通过升高温度去提高镀速是要有镀液分解或降低寿命的风险的。为了尽可能得到一个尽可能快又不伤害镀液的稳定性,每种镀液都一个的操作温度范围,比如酸性的,以次磷酸钠为还原剂的镀液操作温度为88-92℃,在此范围内磷含量不会有超过1%的波动。
随着半导体输入端子数量的增加,基板向侧面端子的多腿化及信号线间距微细化的发展。多腿化的趋势使QFP(Quad Flat Package)构造盘间的节距狭小化制造的难度增加,特别是面阵列端子(面端子)化的需要,BGA(Ball Grid Array)构造的超小型化封装的开发。超小型化封装端子的表面处理的外部引出线需要增加适合的化学镀金/化学镀镍。化学镀金或电镀金的工艺方法比较而言,对于***的电路图形上表面处理是适用的,镀层的厚度可以根据需要增加,这一点是非常有利的。
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