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光电探测器光电导类型

光电导类型包括使用本征半导体的本征光电导电池和使用杂质半导体的杂质光电导电池。本征光电导电池包括用于可见光区域的CdS电池，用于近红外区域的PbS和InSb电池以及用于中红外区域的HgCdTe电池。作为杂质光电导电池，光电探测器厂家，在红外区域中广泛使用以Ge为基础并添加诸如Au，Hg，Cu，宽波段光电探测器厂家，Zn和Be的杂质的电池。由于它们的电离电压为0.16至0.02 eV，因此必须进行冷却以避免热激发。

光电探测器工作原理

光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eglt;hv，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。

当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，PIN-FET光电探测器厂家，如图 画出了几种常用半导体材料(如 GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。

光电探测器

光电探测器是电磁检测能量传感器。它也被称为光电传感器或光接收元件。使用外部光电效应 编辑当光电倍增管（光电倍增管，PMT）暴露在光线下时，电子从光电阴极发出并被倍增极放大。光电管从光电阴极当暴露于光电出，光致抗蚀剂示出了行为类似。使用内部光电效应 编辑利用内部光电效应的大多数设备都使用半导体作为元素材料。内部光电效应的类型很多，但是使用光电导效应和光电效应的检测器是主流。