市场规模
中国半导体产业稳定增长，***半导体产业向中国转移。据WSTS和SIA统计数据，2016年中国半导体市场规模为1659.0亿美元，增速达9.2%，大于***增长速度（1.1%）。2016年中国半导体制造用光刻胶市场规模为19.55亿元，其配套材料市场规模为20.24亿元。预计2017和2018年半导体制造用光刻胶市场规模将分别达到19.76亿元和23.15亿元，其配套材料市场规模将分别达到22.64亿元和29.36亿元。在28nm生产线产能尚未得到释放之前，ArF光刻胶仍是市场主流半导体应用广泛，需求增长持续性强。近些年来，***半导体厂商在中国大陆投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。诸多半导体工厂的设立，也拉动了国内半导体光刻胶市场需求增长。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。
NR9-3000PY金属光刻胶公司
四、前烘（Soft Bake）
完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。
在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。
在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。
美国Futurre光刻胶
30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？
都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，
但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也
比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。
光刻胶品牌FUTURRE光刻胶产品属性：
1 FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:
1.1 Futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）
1.2 负性光刻胶常温下可保存3年
1.3 150度烘烤，缩短了烘烤时间
1.4 单次旋涂能够达到100um膜厚
1.5 显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟