




驱动芯片一般起驱动作用,恩,就是把输入的弱百电信号放大成足够强,度适合于外部设备的强电信号。需要安培级的驱动电流一般是驱动电知机或者电力电子设备等等,根据具体用途才可以选择具体的芯片,有耐压,手机驱动ic,稳态/暂态性能等等道要求。

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对IGBT驱动电路有什么要求
IGBT对驱动电路的要求:
(1)提供适当的正反向电压,使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降,但若UGE过大,驱动ic,则负载短路时其IC随UGE增大而增大,对其安全不利,使用中选UGEν15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通,一般选UGE=-5V为宜。
(2)IGBT的开关时间应综合考虑。快速开通和关断有利于提高工作频率,减小开关损耗。但在大电感负载下,IGBT的开频率不宜过大,因为高速开断和关断会产生很高的尖峰电压,及有可能造成IGBT自身或其他元件击穿。
(3)IGBT开通后,驱动电路应提供足够的电压、电流幅值,使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。

(4)IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响,RG较大,有利于***IGBT的电流上升率及电压上升率,但会增加IGBT的开关时间和开关损耗;RG较小,会引起电流上升率增大,使IGBT误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关,一般在几欧~几十欧,小容量的IGBT其RG值较大。
(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IG2BT的保护功能。IGBT的控制、 驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配,另外,在未采取适当的防静电措施情况下,G—E断不能开路。
现在市面上实际应用的多是平面工艺的MOSFET,在开关电源等领域应用非常普遍,一般作为百开关管使用。实际的MOSFET有别于理想的MOSFET,栅极和源度极,驱动ic芯片,源极和漏极都是存在电容的,要用合适的驱动电路才能使MOS管工作在低导通损耗的开关状态。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动,并且要求一定的驱动能力。

也可以内用示波器看MOS管的波形,看是否工作在完全导通状态,上升和下降时间在辐射容满足要求的情况下,尽量的陡峭。
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