





磁控溅射的工作原理
是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,磁控溅射装置,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。
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危害磁控溅射匀称性的要素
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靶基距、标准气压的危害靶基距都是危害磁控溅射塑料薄膜薄厚匀称性的关键加工工艺主要参数,塑料薄膜薄厚匀称性在必须范围之内随之靶基距的扩大有提升的发展趋势,无心插柳工作中标准气压都是危害塑料薄膜薄厚匀称性关键要素。可是,这类匀称是在小范围之内的,由于扩大靶基距造成的匀称性是提升靶上的一点儿相匹配的板材上的总面积造成的,而提升工作中标准气压是因为提升物体光学散射造成的,显而易见,这种要素只有在小总面积范围之内起***。


真空镀膜机的未来发展策略
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