碳化硅晶体作为信息功能材料器件。常见的方法是将石英砂与焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入N***和木屑，置入电炉中，加热到2000°C左右高温，经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。碳化硅晶体为第三代半导体材料，其优良的物理、化学性能在照明、信息科技、光储能、航天、勘探等领域发展潜力巨大。高品质的绿碳化硅微粉主要应用于太阳能光伏、半导体等的线切割。绿碳化硅适宜磨削硬质合金和硬脆金属和非金属材料，如铜、黄铜、铝和镁等有色金属和陶瓷等无机非金属材料等。同时也适用于玉器宝石、玻璃、玉器、水晶工艺品等的抛光。
SiC的脱氧作用在感应炉中，SiSiC、CSiC则由废钢加入量与其品质决定，处于85%和大于95%之间。与此同时碳化硅其他系列产品在炼钢过程中也有增硅、增碳、提温、净化钢液等作用。对于冲天炉，其意义较小，脱氧效果就只能概括表述。熔炼工艺（包括冷风、二次空气的使用、富氧、热风、酸性、碱性、无炉衬）以及在熔化过程临时采取的改变因素都会形成重要的影响。曾提到过，炉渣脱硫能力与SiC的去氧作用是相互彼此关联的。炉衬寿命的长短与金属炉料受氧化程度（废钢中形成的锈蚀）、炉料带入的低熔点化合物的影响有关。由于炉料中SiC还原金属氧化物的能力强，因此，可大大改善不良条件引起的 干扰。
碳化硅微粉主要用于在磨料行业，对微粉的分级有特殊要求，微粉中不能有大颗粒出现，所以为达国际和国内产品要求，一般生产都采用JZF分级设备来进行高精分级。碳化硅的出现给许多企业带来了许多发展空间，黑碳化硅和绿碳化硅，其中：黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅的分析检测方法为：碳化硅中硅的含量决定碳化硅磨粉机的硬度，碳化硅的粒径大小对线切割影响很大，但***重要的是碳化硅的颗粒形状。因为线切割时碳化硅为游离状态切割颗粒的形状变化对切割效率及切割质量要重要影响。
