脉冲激光沉积(PLD)简介
随着新型氧化物/氮化物的研究和发展，用于沉积它们的外延生长设备：脉冲激光沉积(PLD)和由其衍生的生长技术也越来越受到科研工作者的重视和青睐。PLD是近年来发展起来的一种真空物理沉积工艺，具有衬底温度较低，而且采用光学系统、非接触加热和避免不必要的玷污等特点。PLD还有一个很大的优点，即能够通入较高的氧分压(1 ~ 50 mTorr)，特别适于氧化物的生长。但是PLD方法无法准确控制膜厚，激光镀膜设备，不可能制备原子层尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。
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脉冲激光沉积的基本系统由哪些组成？
腔室及真空泵
快速门，分子泵，全量程规
沉积源
靶台，6X1’’(25mm) 靶，PLD450型激光镀膜设备报价，可以水平旋转，
可Z方向移动
样品台
可加热至800oC（1000oC可选），可水平旋转，PLD450型激光镀膜设备，可Z方向移动
在线工艺监控
石英晶振沉积速率监控仪
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PLD 主要选件
离子辅助沉积 (IBAD)系统介绍
离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera 开发了离子辅助的PLD 系统，该系统将PLD 在沉积复杂材料方面的优势与IBAD 能力结合在一起。
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