氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是高1性能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料；此外，氧化锌（ZnO）与GaN的晶格失配度特别小，是GaN外延生长***理想的衬底材料。氧化锌（ZnO）具有高熔点、高挥发性和强极性等特征，使得晶体生长十分困难。目前ZnO晶体生长技术主要有助熔剂法、水热法、气相法等几种。
氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前,氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作***的发光器件材料。
氧化锌（ZnO）是重要的工业原料在塑料和橡胶添加剂丶传卮器丶发光显示器件等领域有广泛的应用。近几年人们发现氧化锌晶体在常温下存在柴外受激发射有可能实现固体案外和蓝光的激光发射,其独特的发光性能也引人们极大地关注。氧化锌还是良好的光催化材料,可用于环境中的生物降解,光触媒杀菌等。为了更好地研究氧化锌的导体性能,有必要合成高质量的氧化锌单晶。
