正胶PR1-2000A1技术资料
正胶PR1-2000A1是为***波长为365 或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求，在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂，如HMDS。
相对于其他的光刻胶，PR1-2000A1有如下的一些额外的优势：
PEB，不需要后烘的步骤；
较高的分别率；
快速显影；
较强的线宽控制；
蚀刻后去胶效果好；
在室温下有效期长达2年。
NR9-3000PY负性光刻胶
2，涂胶，在硅片覆盖，负性光刻胶报价，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um， 
3，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，北京负性光刻胶，干燥循环热风提高附着力，负性光刻胶厂家，红外线辐射。
烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，负性光刻胶哪家好，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。
9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O，等离子去胶Oxygenpla***a ashing，高频电场O2---电离O- O ， O 活性基与胶反应CO2，CO， H2O， 光刻检验
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